單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應(yīng)用
單晶硅片和多晶硅片的主要區(qū)別在于它們的結(jié)構(gòu)和純度要求。單晶硅片具有完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，而多晶硅片則是由許多小的晶體結(jié)構(gòu)組成。此外，單晶硅片對純度要求非常高，通常達(dá)到99.9999%，而多晶硅片對純度要求相對較低。
在制造工藝方面，單晶硅片通常在單晶爐內(nèi)拉制而成，需要使用高純度的多晶硅作為原料。而多晶硅片可以通過澆鑄、切片等工藝制造。
在應(yīng)用領(lǐng)域方面，單晶硅片主要用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等高精度和高效率的應(yīng)用領(lǐng)域。多晶硅片主要用于制造太陽能電池等低成本的應(yīng)用領(lǐng)域。
在發(fā)電效率方面，單晶硅片的發(fā)電效率通常比多晶硅片高，但價(jià)格也相應(yīng)更高。單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應(yīng)用
在氬氣中氧含量的控制方面，ADEV G9600便攜式微量氧分析儀是一種高精度、高靈敏度的分析儀器，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測氬氣中的氧含量，確保其控制在合適的范圍內(nèi)。
ADEV便攜式微量氧分析儀
型號：G9600
簡單介紹
G9600微量氧分析儀技術(shù)規(guī)格:
精度：<1%滿量程
范圍： 0-1,0-10,0-100，0-1000ppm 1%，或25%自動(dòng)切換
應(yīng)用：對惰性氣體，碳?xì)錃怏w，He，H2，CO2中的氧含量進(jìn)行10ppb-10000ppm分析
*儲存：具有數(shù)據(jù)儲存功能，可存儲10000個(gè)數(shù)據(jù)
*語言：英文界面，可選中文單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應(yīng)用
*輸出：RS485
標(biāo)定：使用濃度大約為80%量程或更高的經(jīng)過認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)氣體
補(bǔ)償：溫度
接口：1/8”接頭
控制：旁邊不銹鋼開關(guān)鍵，正面功能鍵，屏幕開關(guān)鍵。
外觀：155*300*340
流量影響：0.25-2.5 L/M,推薦流量:1 L/M
壓力：0.2-1公斤；排空-大氣壓
電源：可充電電池，單電池可持續(xù)60天，開泵1天（內(nèi)置泵為可選部件）
恢復(fù)時(shí)間：在空氣中暴露60秒鐘，用氮?dú)饣謴?fù)至10ppm的時(shí)間為20分鐘
響應(yīng)時(shí)間：90%滿量程為10秒單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應(yīng)用
采樣系統(tǒng)：流量控和樣氣/旁四通閥，流量指示
靈敏度：<0.5%滿量程
傳感器型號：S8201，免維護(hù)
傳感器壽命：24個(gè)月，25℃，平均O2<100 ppm
溫度范圍：0-45℃
質(zhì)保期：12個(gè)月
樣氣接觸部分：不銹鋼
內(nèi)置泵：包含（可選）
總之，單晶硅片和多晶硅片在結(jié)構(gòu)、純度要求、制造工藝、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)電效率等方面存在明顯區(qū)別。根據(jù)具體應(yīng)用需求，可以選擇適合的硅片類型。同時(shí)，ADEV G9600便攜式微量氧分析儀在氬氣中氧含量的控制方面發(fā)揮著重要作用，有助于提高單晶硅的質(zhì)量和性能，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應(yīng)用
